对IGBT的过电流保护可采用集射极电压识别的方法，在正常工作时，IGBT的通态饱和电压降Uon与集电极电流iC呈近似线性变化的关系，识别Uon的大小即可判断IGBT集电极电流的大小。IGBT的结温升高后，在大电流情况下通态饱和压降增加，这种特性有利于过电流识别保护。集电极电压与门极驱动信号相“与”后输出过电流信号，将此过电流信号反馈至主控电路切断门极信号，以保护IGBT不受损坏。具体应用中尚须注意以下两个问题。

      （1） 识别时间。从识别出过电流信号至切断门极信号的这段时间必须小于IGBT允许短路过电流的时间。前已述及，IGBT对短路电流的承受能力与其饱和管压降的大小和门极驱动电压UGS的大小有很大关系。饱和压降越大，短路承受能力越强；UGS越小，短路承受能力也越强。对于饱和压降为2~3V的IGBT，当UGS=15V时，其短路承受能力仅为5μs。为了有效保护IGBT，保护电路必须在2μs内动作，这样短的反应时间往往使用保护电路很难区分究竟是真短路还是“假短路”（例如续流二极管反向恢复过程，其时间就在1~2μs之间），这就对整个系统的可靠性带来不利的影响。为此不仅应采取快速光耦合器件VL及快速传送电路，而且有必要利用降低门极电压增加IGBT承受短路的能力这一特性。当UGS由15V降至10V时，其短路承受能力则由5μs增至15μs。这样，保护电路动作就可以延长10μs。这时如果短路仍存在，则认为是真短路，完全关断IGBT；如果短路消失，就是“假短路”，就把UGS由10V恢复到正常值15V，从而既可有效保护IGBT，又不误动作。

　　（2） 保护时的关断速度问题。由于IGBT过流时电流幅值很大，加之IGBT关断速度很快，如果按正常时的关断速度，就会造成Ldi/dt过大，形成很高的尖峰电压，极易损坏IGBT和设备中的其他元器件；因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。当检测到真短路时，驱动电路在关断IGBT时，必须让门极电压较慢地由15V下降，T3平时是导通的，电阻R1不被引入；一旦需要慢速切断，则T3管截止，IGBT输入电容通过RG、R1放电，时间常数加大，放电速度降低。

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